Компания Elpida вчера заявила, что её фабрика в Хиросиме приступила к массовому выпуску микросхем DDR3-1600 плотностью 2 гигабита по 40 нм технологии. От появления первых образцов до этапа массового производства прошло всего два месяца. По сравнению с 50 нм микросхемами DDR-3, новые двухгигабитные 40 нм чипы позволяют разместить на 44% больше микросхем на стандартной кремниевой пластине. Сила тока уменьшилась на две трети, а уровень энергопотребления снизился на 50%. Новые микросхемы памяти могут работать как при номинальных напряжениях 1.2 В или 1.35 В, так и при стандартном напряжении 1.5 В.

Во втором квартале 2010 года производство памяти типа DDR-3 по 40 нм технологии будет запущено на мощностях тайваньского подразделения Elpida по имени Rexchip. Позднее эта технология перекочует на мощности ProMOS и Winbond, являющихся технологическими партнёрами Elpida.